Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 750/2164

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DMC1018UPD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1525pF @ 6V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager5.598
DMC1028UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V Leistung - max: 1.36W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager6.930
DMC1028UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A, 3.4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 787pF @ 6V Leistung - max: 1.36W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager120.420
DMC1029UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager5.328
DMC1029UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager26.570
DMC1030UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Leistung - max: 1.36W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager6.984
DMC1030UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V Leistung - max: 1.36W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager4.374
DMC1030UFDBQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Leistung - max: 1.36W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager2.844
DMC1030UFDBQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1003pF @ 6V Leistung - max: 1.36W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager7.074
DMC1229UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager2.464
DMC1229UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: - Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A, 3.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager22.500
DMC2004DWK-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 540mA, 430mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.359.068
DMC2004LPK-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA, 600mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: X1-DFN1612-6	Auf Lager29.970
DMC2004VK-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 670mA, 530mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Leistung - max: 450mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager244.794
DMC2020USD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.8A, 6.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Leistung - max: 1.8W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager74.916
DMC2025UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager3.060
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager8.856
DMC2038LVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A, 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager1.024.398
DMC2038LVTQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Leistung - max: 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager2.642
DMC2041UFDB-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager3.438
DMC2041UFDB-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Leistung - max: 1.4W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: U-DFN2020-6 (Type B)	Auf Lager8.556
DMC2053UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager6.030
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager3.402
DMC2057UVT-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager8.190
DMC2057UVT-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta), 3.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 416pF @ 10V, 536pF @ 10V Leistung - max: 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: TSOT-26	Auf Lager8.622
DMC21D1UDA-7B Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 455mA (Ta), 328mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: X2-DFN0806-6	Auf Lager3.888
DMC2400UV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Leistung - max: 450mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager205.884
DMC2400UV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Leistung - max: 450mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager1.597.434
DMC2450UV-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Leistung - max: 450mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.622
DMC2450UV-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.03A, 700mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V Leistung - max: 450mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager71.320

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