Transistoren

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CSD87588N Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Leistung - max: 6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-XFLGA Lieferantengerätepaket: 5-PTAB (3x2.5)	Auf Lager2.643
CSD87588NT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 736pF @ 15V Leistung - max: 6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-LGA Lieferantengerätepaket: 5-PTAB (5x3.5)	Auf Lager47.136
CSD88537ND Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager17.254
CSD88537NDT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager31.752
CSD88539ND Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager11.697
CSD88539NDT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 30V Leistung - max: 2.1W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager18.738
CSD88584Q5DC Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Leistung - max: 12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 22-PowerTFDFN Lieferantengerätepaket: 22-VSON-CLIP (5x6)	Auf Lager3.420
CSD88584Q5DCT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12400pF @ 20V Leistung - max: 12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 22-PowerTFDFN Lieferantengerätepaket: 22-VSON-CLIP (5x6)	Auf Lager18.078
CSD88599Q5DC Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Leistung - max: 12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 22-PowerTFDFN Lieferantengerätepaket: 22-VSON-CLIP (5x6)	Auf Lager3.096
CSD88599Q5DCT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4840pF @ 30V Leistung - max: 12W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 22-PowerTFDFN Lieferantengerätepaket: 22-VSON-CLIP (5x6)	Auf Lager7.290
CTLDM303N-M832DS BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHANNEL Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager4.194
CTLDM303N-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TLM832DS Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager2.772
CTLDM304P-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 4.2A TLM832DS Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 15V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager2.502
CTLDM7120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHANNEL Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager6.192
CTLDM7120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 1A Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager4.248
CTLDM8120-M832DS BK Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHANNEL Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager2.718
CTLDM8120-M832DS TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET DUAL N-CHANNEL Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 860mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 16V Leistung - max: 1.65W Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: TLM832DS	Auf Lager3.942
CWDM305ND TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 560pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager5.148
CWDM305PD TR13 Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 10V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager7.650
DF11MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE 1200V 50A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 800V Leistung - max: 20mW Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager3.978
DF11MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MOD 1200V 50A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 20mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3680pF @ 800V Leistung - max: 20mW Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-EASY1BM-2	Auf Lager7.542
DF23MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MODULE 1200V 25A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 620nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 800V Leistung - max: 20mW Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: Module	Auf Lager2.610
DF23MR12W1M1B11BPSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET MOD 1200V 25A Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolSiC™+ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V Leistung - max: 20mW Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: Module Lieferantengerätepaket: AG-EASY1BM-2	Auf Lager6.696
DI9942T Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 8-SOIC Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.6W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager3.078
DI9945T Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 435pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.220
DI9952T Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager5.814
DI9956T Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager7.272
DMC1015UPD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A, 6.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 6V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager19.632
DMC1016UPD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A, 8.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1454pF @ 6V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager5.490
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 12V 9.5A/6.9A SMD Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PowerDI5060-8	Auf Lager4.104

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