Transistoren

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Seite 747/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
CMLDM7003T TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.76nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager4.086
CMLDM7484 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V 0.45A SOT-563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager246.954
CMLDM7585 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 0.65A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager6.048
CMLDM8002AG TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.28A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager8.532
CMLDM8005 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 0.65A SOT563 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 650mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 16V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager21.954
CMRDM3575 TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V SOT963 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160mA, 140mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.46nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9pF @ 15V Leistung - max: 125mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-963 Lieferantengerätepaket: SOT-963	Auf Lager8.604
CMXDM7002A TR Central Semiconductor Corp	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT26 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 350mW Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: SOT-26	Auf Lager8.478
CPH5617-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Leistung - max: 250mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 5-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket: 5-CPH	Auf Lager5.238
CPH6635-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA, 1.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager5.004
CPH6636R-TL-W ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 900mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager145.074
CSD75204W15 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 3A 9DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA	Auf Lager8.010
CSD75205W1015 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 265pF @ 10V Leistung - max: 750mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA (1x1.5)	Auf Lager4.068
CSD75207W15 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 1A, 1.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 10V Leistung - max: 700mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 9-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 9-DSBGA	Auf Lager140.652
CSD75208W1015 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Leistung - max: 750mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA	Auf Lager1.381
CSD75208W1015T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6WLP Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 10V Leistung - max: 750mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA	Auf Lager70.140
CSD75211W1723 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 12-DSBGA	Auf Lager8.028
CSD75301W1015 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 20V 1.2A 6DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 10V Leistung - max: 800mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 6-DSBGA (1x1.5)	Auf Lager4.284
CSD83325L Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA Lieferantengerätepaket: 6-PicoStar	Auf Lager6.030
CSD83325LT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-XFBGA Lieferantengerätepaket: 6-PicoStar	Auf Lager23.262
CSD85301Q2 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2)	Auf Lager106.585
CSD85301Q2T Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V Leistung - max: 2.3W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 6-WSON (2x2)	Auf Lager30.162
CSD85302L Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 5A Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-Picostar (1.31x1.31)	Auf Lager44.002
CSD85302LT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 1.7W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-XFLGA Lieferantengerätepaket: 4-Picostar (1.31x1.31)	Auf Lager41.118
CSD85312Q3E Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3)	Auf Lager2.238
CSD86311W1723 Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V Leistung - max: 1.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 12-UFBGA, DSBGA Lieferantengerätepaket: 12-DSBGA	Auf Lager6.066
CSD86330Q3D Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V Leistung - max: 6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: 8-LSON (3.3x3.3)	Auf Lager6.998
CSD86336Q3D Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 25V POWERBLOCK N CH MOSFET Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V Leistung - max: 6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3)	Auf Lager7.974
CSD86336Q3DT Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V Leistung - max: 6W Betriebstemperatur: -55°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-VSON (3.3x3.3)	Auf Lager11.160
CSD86350Q5D Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V Leistung - max: 13W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerLDFN Lieferantengerätepaket: 8-LSON (5x6)	Auf Lager102.906
CSD86356Q5D Texas Instruments	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 25V POWERBLOCK N CH MOSFET Hersteller: Serie: NexFET™ FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge) FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V Leistung - max: 12W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: 8-VSON-CLIP (5x6)	Auf Lager4.014

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