Transistoren

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BSO615NGHUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 25V Leistung - max: 2W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: PG-DSO-8	Auf Lager4.986
BSS138BKS,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 320mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V Leistung - max: 445mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager331.506
BSS138BKSH Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays BSS138BKS/SOT363/SC-88 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 320mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 10V Leistung - max: 445mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager3.528
BSS138DW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.266
BSS138DW-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SC70-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager1.219.974
BSS138DWQ-13 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager5.832
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2NCH 50V 200MA SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager218.424
BSS138PS,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 320mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V Leistung - max: 420mW Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager1.416.720
BSS8402DW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager8.676
BSS8402DW-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager1.614.654
BSS8402DWQ-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 60V/50V Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 115mA, 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V Leistung - max: 200mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager8.244
BSS84AKS,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Leistung - max: 445mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager711.696
BSS84AKS/ZLX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 P-CH 50V 160MA 6TSSOP Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Leistung - max: 445mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-TSSOP	Auf Lager4.266
BSS84AKV,115 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Leistung - max: 500mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-666	Auf Lager295.488
BSS84DW-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager8.118
BSS84DW-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Leistung - max: 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.498.052
BSS84V-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 25V Leistung - max: 150mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket: SOT-563	Auf Lager26.340
BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360pF @ 15V Leistung - max: 17W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PG-WISON-8	Auf Lager4.122
BSZ0910NDXTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Logic Level Gate, 4.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.5A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V Leistung - max: 1.9W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket: PG-WISON-8	Auf Lager2.268
BSZ15DC02KDHXTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8-FL	Auf Lager2.304
BSZ215CHXTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel Complementary FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.1A, 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V Leistung - max: 2.5W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8	Auf Lager5.184
BTS7904BATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 25V Leistung - max: 69W, 96W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA Lieferantengerätepaket: PG-TO263-5-1	Auf Lager4.104
BTS7904SAKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N and P-Channel FET-Funktion: Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss): 55V, 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 25V Leistung - max: 69W, 96W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-220-5 Lieferantengerätepaket: PG-TO220-5-13	Auf Lager7.776
BUK7K12-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 617pF @ 25V Leistung - max: 68W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager28.644
BUK7K134-100EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 121mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 564pF @ 25V Leistung - max: 32W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager3.798
BUK7K13-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2163pF @ 25V Leistung - max: 64W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager3.978
BUK7K15-80EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2457pF @ 25V Leistung - max: 68W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager7.740
BUK7K17-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 60V 30A 56LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.6nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1578pF @ 25V Leistung - max: 53W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager5.418
BUK7K17-80EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - Leistung - max: 64W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager3.240
BUK7K18-40EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion: Standard Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 25V Leistung - max: 38W Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-1205, 8-LFPAK56 Lieferantengerätepaket: LFPAK56D	Auf Lager6.804

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