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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
DDTC115GUA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): - Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager3.888
DDTC115TCA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager2.862
DDTC115TCA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.694
DDTC115TE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager2.610
DDTC115TE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager6.642
DDTC115TKA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager5.256
DDTC115TUA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.334
DDTC115TUA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.550
DDTC122LE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager7.488
DDTC122LE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager83.304
DDTC122LU-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.334
DDTC122LU-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.012
DDTC122TE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager8.028
DDTC122TE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager21.984
DDTC122TU-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.354
DDTC122TU-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 220 Ohms Widerstand - Emitterbasis (R2): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO) Frequenz - Übergang: 200MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager18.906
DDTC123ECA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.050
DDTC123ECA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.046
DDTC123EE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager2.358
DDTC123EE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager6.714
DDTC123EKA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3	Auf Lager4.374
DDTC123EUA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.604
DDTC123EUA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager3.490
DDTC123JCA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager4.374
DDTC123JCA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.689.640
DDTC123JE-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager7.038
DDTC123JE-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 150mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-523 Lieferantengerätepaket: SOT-523	Auf Lager4.968
DDTC123JKA-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59-3	Auf Lager7.776
DDTC123JLP-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 250mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-XFDFN Lieferantengerätepaket: 3-DFN1006 (1.0x0.6)	Auf Lager4.392
DDTC123JUA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN - Pre-Biased Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Frequenz - Übergang: 250MHz Leistung - max: 200mW Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager7.704

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