Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 563/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SBCX19LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 45V 0.5A SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager71.856
SBF720T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 0.1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 60MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261)	Auf Lager26.346
SBSP52T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 1A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V Leistung - max: 800mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261)	Auf Lager3.366
SDBN500B01-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 500MQ SOT363 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 20mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.214
SE9300 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN BIPOLAR TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager6.714
SE9301 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN BIPOLAR TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.236
SE9302 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN BIPOLAR TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager5.238
SE9400 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP BIPOLAR TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager4.338
SE9401 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP BIPOLAR TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager7.038
SE9402 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP BIPOLAR TO220 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 150mA, 7.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 7.5A, 3V Leistung - max: 70W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220	Auf Lager3.240
SFT1202-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket: TP	Auf Lager20.988
SFT1202-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 150V 2A TP-FA Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 165mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 140MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: 2-TP-FA	Auf Lager18.096
SGSD100 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager3.580
SGSD200 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 80mA, 20A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10A, 3V Leistung - max: 130W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-247-3 Lieferantengerätepaket: TO-247-3	Auf Lager3.600
SJD112T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.600
SJD127T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.336
SJD127T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.604
SJD32CT4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 3A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.550
SJD32CT4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 3A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.506
SMBT2222AE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager596.700
SMBT2907AE6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager103.326
SMBT35200MT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 35V 2A 6TSOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-TSOP	Auf Lager8.568
SMBT 3904 B5003 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.694
SMBT3904E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager299.748
SMBT3904E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.2A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.498
SMBT 3906 B5003 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.866
SMBT3906E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager336.804
SMBT 3906 E6767 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.598
SMBTA06E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.258
SMBTA06E6433HTMA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Leistung - max: 330mW Frequenz - Übergang: 100MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.696

«
‹
1
...
560
561
562
563 (current)
564
565
566
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message