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NJD35N04T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 45W Frequenz - Übergang: 90MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager54.744
NJL0281DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 260V 15A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Leistung - max: 180W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager5.634
NJL0302DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 260V 15A TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Leistung - max: 180W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager5.868
NJL1302D ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 260V 15A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager4.482
NJL1302DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 260V 15A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager15.504
NJL21193DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 250V 16A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager3.042
NJL21194DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 250V 16A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 250V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager8.388
NJL3281D ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 260V 15A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager7.848
NJL3281DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 260V 15A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 260V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V Leistung - max: 200W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager12.624
NJL4281DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 350V 15A TO264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V Leistung - max: 230W Frequenz - Übergang: 35MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager8.352
NJL4302DG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 350V 15A TO-264 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V Leistung - max: 230W Frequenz - Übergang: 35MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-264-5 Lieferantengerätepaket: TO-264	Auf Lager6.876
NJT4030PT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager259.416
NJT4030PT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager33.642
NJT4031NT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager590.130
NJT4031NT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager2.718
NJV4030PT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261)	Auf Lager17.262
NJV4030PT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 160MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223 (TO-261)	Auf Lager7.596
NJV4031NT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager13.818
NJV4031NT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 3A SOT223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 215MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager8.316
NJVBDX53C ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V Leistung - max: 65W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Lieferantengerätepaket: TO-220AB	Auf Lager3.024
NJVBUB323ZT4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 2MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK-3	Auf Lager6.768
NJVMJB41CT4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 6A D2PAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK-3	Auf Lager15.960
NJVMJB42CT4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 6A D2PAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 3MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager17.544
NJVMJB44H11T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 10A D2PAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager4.014
NJVMJB45H11T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket: D2PAK	Auf Lager6.588
NJVMJD112G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager5.238
NJVMJD112T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 20W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.942
NJVMJD117T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 25MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.436
NJVMJD122T4G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: 4MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager3.528
NJVMJD122T4G-VF01 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 8A, 80mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V Leistung - max: 1.75W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: DPAK	Auf Lager5.094

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