Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 455/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
KSB811GTA
KSB811GTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 110MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager5.868
KSB811OBU
KSB811OBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 110MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager5.040
KSB811OTA
KSB811OTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 110MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager3.436
KSB811YBU
KSB811YBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 110MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager7.866
KSB811YTA
KSB811YTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
  • Leistung - max: 350mW
  • Frequenz - Übergang: 110MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager7.578
KSB834O
KSB834O

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
  • Leistung - max: 1.5W
  • Frequenz - Übergang: 9MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager5.994
KSB834WYTM
KSB834WYTM

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A D2-PAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
  • Leistung - max: 1.5W
  • Frequenz - Übergang: 9MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Lieferantengerätepaket: D²PAK
Auf Lager20.724
KSB834Y
KSB834Y

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
  • Leistung - max: 1.5W
  • Frequenz - Übergang: 9MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager5.814
KSB834YTU
KSB834YTU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
  • Leistung - max: 1.5W
  • Frequenz - Übergang: 9MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager5.202
KSB906YTU
KSB906YTU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 3A I-PAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
  • Leistung - max: 1W
  • Frequenz - Übergang: 9MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
Auf Lager4.770
KSB907TU
KSB907TU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP DARL 40V 3A I-PAK

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
  • Leistung - max: 15W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Lieferantengerätepaket: I-PAK
Auf Lager5.310
KSC1008COBU
KSC1008COBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.024
KSC1008COTA
KSC1008COTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.514
KSC1008CYBU
KSC1008CYBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.400
KSC1008CYTA
KSC1008CYTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager42.414
KSC1008GBU
KSC1008GBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager6.624
KSC1008GTA
KSC1008GTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.562
KSC1008OBU
KSC1008OBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.312
KSC1008OTA
KSC1008OTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.578
KSC1008RBU
KSC1008RBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager6.606
KSC1008RTA
KSC1008RTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager4.122
KSC1008YBU
KSC1008YBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager287.112
KSC1008YTA
KSC1008YTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.920
KSC1008YTF
KSC1008YTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.362
KSC1009CYBU
KSC1009CYBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager2.520
KSC1009CYTA
KSC1009CYTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager7.434
KSC1009GBU
KSC1009GBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.958
KSC1009GTA
KSC1009GTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager5.544
KSC1009OBU
KSC1009OBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager2.718
KSC1009OTA
KSC1009OTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 140V 0.7A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 140V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.568