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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
JANTXV2N5416S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/485 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager5.040
JANTXV2N5416U4 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/485 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: U4	Auf Lager5.706
JANTXV2N5416UA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 300V 1A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/485 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Leistung - max: 750mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UA	Auf Lager4.590
JANTXV2N5581 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO46 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/423 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-46 (TO-206AB)	Auf Lager3.060
JANTXV2N5582 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.8A TO46 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/423 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 800mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Leistung - max: 500mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-46-3	Auf Lager8.010
JANTXV2N5662 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 2A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/454 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager237
JANTXV2N5663 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 2A TO-5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/454 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager6.336
JANTXV2N5664 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 5A TO66 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Leistung - max: 2.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66 (TO-213AA)	Auf Lager8.496
JANTXV2N5665 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 5A TO66 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Leistung - max: 2.5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-213AA, TO-66-2 Lieferantengerätepaket: TO-66 (TO-213AA)	Auf Lager4.212
JANTXV2N5666 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 5A TO5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager2.970
JANTXV2N5666S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 5A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5A, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager6.894
JANTXV2N5666U3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 200V 5A U3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: U3	Auf Lager4.626
JANTXV2N5667 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 5A TO5 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-5	Auf Lager5.418
JANTXV2N5667S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 300V 5A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/455 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager239
JANTXV2N5672 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 120V 30A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/488 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15A, 2V Leistung - max: 6W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3 (TO-204AA)	Auf Lager57
JANTXV2N5679 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.794
JANTXV2N5680 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIODE Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: Military, MIL-PRF-19500/582 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager8.406
JANTXV2N5680 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 120V 1A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/582 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 120V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager8.982
JANTXV2N5681 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 100V 1A TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/583 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39 (TO-205AD)	Auf Lager4.806
JANTXV2N5684 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 50A TO-204AA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/466 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-204AA (TO-3)	Auf Lager7.236
JANTXV2N5685 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 50A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/464 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3 (TO-204AA)	Auf Lager6.876
JANTXV2N5686 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 50A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/464 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Leistung - max: 300W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AE Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager8.172
JANTXV2N5745 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 20A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/433 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V Leistung - max: 5W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager116
JANTXV2N6051 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 80V 12A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/501 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3 (TO-204AA)	Auf Lager8.910
JANTXV2N6052 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/501 Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3	Auf Lager3.924
JANTXV2N6058 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 80V 12A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/502 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3 (TO-204AA)	Auf Lager7.200
JANTXV2N6059 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/502 Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3 (TO-204AA)	Auf Lager5.634
JANTXV2N6193 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: Military, MIL-PRF-19500/561 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager5.580
JANTXV2N6193U3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 100V 5A TO-39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.822
JANTXV2N6249 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single DIODE Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: Military, MIL-PRF-19500/371 Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 200V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V Leistung - max: 6W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3 Lieferantengerätepaket: TO-3 (TO-204AA)	Auf Lager8.496

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