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Transistoren

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Beschreibung
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BD440
BD440

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager6.966
BD440G
BD440G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager8.010
BD440S
BD440S

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 4A TO-126

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126-3
Auf Lager20.718
BD441
BD441

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A SOT-32

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-32
Auf Lager3.240
BD441
BD441

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager7.992
BD441G
BD441G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager19.728
BD441STU
BD441STU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 4A TO-126

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126-3
Auf Lager7.434
BD442
BD442

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A SOT-32

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-32
Auf Lager6.048
BD442
BD442

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager7.740
BD442G
BD442G

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO-225AA

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-225AA
Auf Lager14.376
BD442S
BD442S

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO-126

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126-3
Auf Lager2.628
BD442STU
BD442STU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 4A TO-126

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • Leistung - max: 36W
  • Frequenz - Übergang: 3MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-225AA, TO-126-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-126-3
Auf Lager15.456
BD533
BD533

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 45V 8A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager5.994
BD533J
BD533J

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 45V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager5.292
BD534
BD534

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager2.610
BD534J
BD534J

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager5.346
BD534K
BD534K

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager8.964
BD534KTU
BD534KTU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager8.352
BD535
BD535

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 8A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager8.532
BD535J
BD535J

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager4.500
BD536
BD536

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 8A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager5.976
BD536J
BD536J

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 60V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager2.646
BD537
BD537

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220AB
Auf Lager3.472
BD537J
BD537J

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager2.016
BD537K
BD537K

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager4.464
BD537KTU
BD537KTU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager5.598
BD538J
BD538J

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager4.950
BD538K
BD538K

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
Auf Lager6.534
BD538KTU
BD538KTU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS PNP 80V 8A TO-220

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • Leistung - max: 50W
  • Frequenz - Übergang: 12MHz
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220-3
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BD539A-S
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Bourns

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 60V 5A

  • Hersteller: Bourns Inc.
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 4V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-220-3
  • Lieferantengerätepaket: TO-220
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