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BC516_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.286
BC516_L34Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.606
BC517 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.150
BC517,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 220MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.776
BC517,116 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 220MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.984
BC517_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.338
BC517_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.074
BC517-D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager197.916
BC517_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.028
BC517G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager1.180
BC517_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.488
BC517_L34Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.262
BC517RL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.696
BC517RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 1.5W Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.076
BC517ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.552
BC517ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 200MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.808
BC51PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager44.658
BC51PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS PNP 1A 45V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager3.132
BC52-10PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager5.688
BC52-10PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager4.410
BC52-16PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager8.244
BC52-16PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager3.204
BC52PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 60V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager8.640
BC52PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager8.820
BC53-10PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager5.508
BC53-10PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager3.204
BC53-16PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager2.214
BC53-16PA-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A UDFN Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Leistung - max: 520mW Frequenz - Übergang: 125MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Lieferantengerätepaket: U-DFN-2020-3	Auf Lager7.020
BC53-16PASX Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket: DFN2020D-3	Auf Lager8.712
BC53PA,115 Nexperia	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 80V 1A SOT1061 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Leistung - max: 420mW Frequenz - Übergang: 145MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket: 3-HUSON (2x2)	Auf Lager25.656

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