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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 3A 100V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager6.426
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 3A 100V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.132
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 3A 100V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager7.632
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 3A 100V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager4.266
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 3A 100V TO220-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager3.186
2SD22580RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SIP Lieferantengerätepaket: MT-2-A1	Auf Lager4.194
2SD225900A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 0.7A MT-2 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 55MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SIP Lieferantengerätepaket: MT-2-A1	Auf Lager20.682
2SD2264TV2R Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 3A ATV Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 290MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SIP Lieferantengerätepaket: ATV	Auf Lager8.622
2SD2318TLU Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager3.528
2SD2318TLV Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A SOT-428 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V Leistung - max: 15W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket: CPT3	Auf Lager6.408
2SD23210RA Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 20V 5A NS-B1 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: 150MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SSIP Lieferantengerätepaket: NS-B1	Auf Lager6.264
2SD2345GSL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F3	Auf Lager3.490
2SD2345JSL Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V Leistung - max: 125mW Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket: SSMini3-F1	Auf Lager5.886
2SD2351T106V Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager45.450
2SD2351T106W Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: UMT3	Auf Lager29.304
2SD235800A Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 10V 1A MT-2 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 20mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 120MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-SIP Lieferantengerätepaket: MT-2-A1	Auf Lager18.876
2SD2374AP Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 3A TO-220D Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 300µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 30MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220D-A1	Auf Lager5.796
2SD23750P Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO-220D Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220D-A1	Auf Lager3.312
2SD2389 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 150V 8A TO3P Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager9.552
2SD2390 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V Leistung - max: 100W Frequenz - Übergang: 55MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket: TO-3P	Auf Lager8.586
2SD2391T100Q Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 2A SOT-89 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 210MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MPT3	Auf Lager8.280
2SD2396K Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 60V 3A TO220 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 4V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220FN	Auf Lager2.970
2SD2401 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 150V 12A MT200 Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V Leistung - max: 150W Frequenz - Übergang: 55MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: 3-ESIP Lieferantengerätepaket: MT-200	Auf Lager8.208
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 4A TO220NIS Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V Leistung - max: 25W Frequenz - Übergang: 8MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220NIS	Auf Lager5.868
2SD241300L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 0.1A MINI PWR Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MiniP3-F1	Auf Lager13.764
2SD2413G0L Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 400V 0.1A MINIP-3 Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V Leistung - max: 1W Frequenz - Übergang: 40MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: MiniP3-F2	Auf Lager14.208
2SD2420AP Panasonic Electronic Components	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 80V 4A TO-220D Hersteller: Panasonic Electronic Components Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V Leistung - max: 2W Frequenz - Übergang: 20MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-220D-A1	Auf Lager7.794
2SD2425-T1-AZ Renesas Electronics America	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANSISTOR Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.286
2SD2438 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 150V 8A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V Leistung - max: 75W Frequenz - Übergang: 80MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager7.884
2SD2439 Sanken	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN DARL 150V 10A TO3PF Hersteller: Sanken Serie: - Transistortyp: NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V Leistung - max: 80W Frequenz - Übergang: 55MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket: TO-3PF	Auf Lager2.322

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