Transistoren

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STL110N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 107A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5117pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager27.096
STL110NS3LLH7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ H7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4W (Ta), 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.878
STL115N10F7AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 107A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 136W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.362
STL11N3LLH6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1690pF @ 24V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.842
STL11N4LLF5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.272
STL11N60M2-EP STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V PWRFLAT 5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2-EP FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.676
STL11N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 85W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.528
STL11N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 644pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 70W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFLAT™ (5x5) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.922
STL11N6F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1035pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.9W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager23.286
STL120N2VH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 14A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 2.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4660pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 80W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.338
STL120N4F6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager26.232
STL120N4LF6AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): 40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.912
STL120N8F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 120A Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4570pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.138
STL12HN65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET Hersteller: STMicroelectronics Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.204
STL12N10F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1820pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.626
STL12N3LLH5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±22V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.390
STL12N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 495mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 538pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.166
STL12N60M6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V 0.175 OHM TYP. 1 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.124
STL12N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 8.5A PWRFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.456
STL12N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 644pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.644
STL12P6F6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 4A 8POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 48V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.100
STL130N6F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 130A F7 8PWRFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.302
STL130N8F7 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6 Hersteller: STMicroelectronics Serie: DeepGATE™, STripFET™ VII FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6340pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.572
STL135N8F7AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 130A Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 4.8W (Ta), 135W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.860
STL13N60DM2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 730pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager7.290
STL13N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager2.250
STL13N60M6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V 0.175 OHM TYP. 1 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.320
STL13N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.780
STL13NM60N STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 90W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (8x8) HV Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.788
STL140N4F7AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 111W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager8.388

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