Transistoren

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SSM3H137TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 34V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 119pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager45.324
SSM3J09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager53.628
SSM3J108TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 800mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager2.268
SSM3J112TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 PB-F UFM S-MOS (LF) TRANSIST Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 86pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager5.454
SSM3J114TU(T5L,T) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 331pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager5.580
SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149mOhm @ 600mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 4V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 331pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.598
SSM3J117TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager8.622
SSM3J118TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 137pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager6.714
SSM3J120TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIV FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3nC @ 4V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1484pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.384
SSM3J129TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager5.382
SSM3J130TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager278.262
SSM3J132TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V Vgs (Max): ±6V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager42.684
SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.5A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager100.122
SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL PCH LOW ON RESISTANCE MOSF Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager55.236
SSM3J135TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.726
SSM3J140TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager28.158
SSM3J143TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager21.612
SSM3J144TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager44.556
SSM3J145TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max): +6V, -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UFM Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager24.846
SSM3J14TTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 413pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.192
SSM3J15CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CST3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager8.712
SSM3J15F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.568
SSM3J15FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.290
SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.1A USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: USM Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager5.652
SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VESM Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager141.240
SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (Max): +20V, -16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 82pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: S-Mini Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.142
SSM3J16CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: π-MOSVI FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11pF @ 3V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 100mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: CST3 Paket / Fall: SC-101, SOT-883	Auf Lager5.130
SSM3J304T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSIII FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 127mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 335pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.384
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 15V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.628
SSM3J307T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5A TSM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: U-MOSV FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1170pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSM Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.130

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