Transistoren

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SPP80N03S2L05AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3320pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 167W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.100
SPP80N03S2L-06 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.160
SPP80N04S2-04 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6980pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.772
SPP80N04S2-H4 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.582
SPP80N04S2L-03 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7930pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.056
SPP80N06S08AKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.570
SPP80N06S08NK Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.100
SPP80N06S2-05 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6790pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.538
SPP80N06S2-07 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4540pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.538
SPP80N06S2-08 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 215W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.988
SPP80N06S2-09 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3140pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.438
SPP80N06S2-H5 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.010
SPP80N06S2L-05 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7530pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.686
SPP80N06S2L-06 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5050pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager2.790
SPP80N06S2L-07 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 210W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.114
SPP80N06S2L-09 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.614
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 158W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager8.046
SPP80N06S2L-H5 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 230µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6640pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager4.212
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6130pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.920
SPP80N08S2L-07 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6820pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.472
SPP80N10L Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4540pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.832
SPP80P06PBKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 80A TO-220AB Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5033pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 340W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager3.996
SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 80A TO-220 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5033pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 340W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO220-3-1 Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager13.524
SPS01N60C3 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 11W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager2.934
SPS02N60C3 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 25W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.290
SPS02N60C3BKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single LOW POWER_LEGACY Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.762
SPS03N60C3 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager3.042
SPS03N60C3BKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager4.806
SPS04N60C3BKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Stub Leads, IPak	Auf Lager7.974
SPU01N60C3BKMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251 Hersteller: Infineon Technologies Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 11W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PG-TO251-3 Paket / Fall: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Auf Lager6.516

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