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SI2309CDS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager173.076
SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager744.342
SI2309DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager2.844
SI2310-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 247pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager135.942
SI2311DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 710mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.284
SI2311DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 3A SOT23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 710mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.406
SI2312BDS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.007.484
SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.300.308
SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager375.390
SI2312-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 4.3A, 1.8V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 865pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.588
SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.77A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager146.928
SI2314EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.77A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.202
SI2315BDS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.330.776
SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.85A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager72.192
SI2316BDS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager26.274
SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 1.66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager664.332
SI2316DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager326.628
SI2316DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 215pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.590
SI2318A-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager228.090
SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.310
SI2318DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager1.191.390
SI2318DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 3A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager69.390
SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager696.498
SI2319DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHAN 40V Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Ta), 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.114
SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager841.200
SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.622
SI2321DS-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 710mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.950
SI2321DS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 710mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.572
SI2321-TP Micro Commercial Co	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 715pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.352
SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1090pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager21.954

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