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RJK0301DPB-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): +16V, -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 65W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.888
RJK0305DPB-02#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (Max): +16V, -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager44.142
RJK0305DPB-WS#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A 5-LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (Max): +16V, -12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 5-LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.896
RJK0328DPB-01#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6380pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 65W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.068
RJK0330DPB-01#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager3.474
RJK0332DPB-01#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager2.790
RJK0346DPA-01#J0B Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 65A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 65A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7650pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 65W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.744
RJK0349DSP-00#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager8.982
RJK0349DSP-01#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.572
RJK0353DPA-01#J0B Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.642
RJK0353DPA-WS#J0B Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2180pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: WPAK(3F) (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.708
RJK0354DSP-00#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1740pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager20.268
RJK0355DSP-00#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.230
RJK0355DSP-01#J0 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOP Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager4.950
RJK0391DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK (3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.046
RJK0393DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A 2WPACK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.272
RJK03C1DPB-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 10V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 65W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager8.892
RJK03M1DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 50A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4720pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.014
RJK03M2DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 45A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-WFDFN Exposed Pad	Auf Lager5.526
RJK03M3DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3010pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 35W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-WFDFN Exposed Pad	Auf Lager3.924
RJK03M4DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2170pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-WFDFN Exposed Pad	Auf Lager3.474
RJK03M5DNS-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 25A HWSON Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 15W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-HWSON (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.446
RJK03M5DPA-00#J5A Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A WPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-WPAK Paket / Fall: 8-WFDFN Exposed Pad	Auf Lager3.562
RJK0451DPB-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager9.613
RJK0452DPB-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4030pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager5.544
RJK0454DPB-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager6.498
RJK0455DPB-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 45A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager4.032
RJK0456DPB-00#J5 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V LFPAK Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 65W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK Paket / Fall: SC-100, SOT-669	Auf Lager5.148
RJK0601DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 110A TO220 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10000pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager7.614
RJK0602DPN-E0#T2 Renesas Electronics America	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A TO220 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6450pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager5.436

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