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2N3906BU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager631.686
2N3906_D11Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.254
2N3906_D27ZS00Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.688
2N3906_D81Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.826
2N3906G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.060
2N3906-G Comchip Technology	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO92 Hersteller: Comchip Technology Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager43.734
2N3906_J05Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.366
2N3906_J18Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.244
2N3906_J25Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.208
2N3906_J61Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.982
2N3906RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.190
2N3906RLRA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.970
2N3906RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.118
2N3906RLRMG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.778
2N3906RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.312
2N3906T93 Rohm Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager7.308
2N3906TA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager92.886
2N3906TAR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.020
2N3906TF ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager159.516
2N3906TFR ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager50.880
2N3906ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 40V 0.2A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 625mW Frequenz - Übergang: 250MHz Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.418
2N3947 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Leistung - max: 1.2W Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager8.460
2N3955 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.898
2N3960 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V TO-18 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18 (TO-206AA)	Auf Lager7.650
2N3960UB Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 12V UB Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V Leistung - max: 400mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket: UB	Auf Lager4.986
2N3962 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single PNP LL LN AMP TRANSISTOR Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager4.878
2N3964 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 45V 0.2A TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 1mA, 5V Leistung - max: 360mW Frequenz - Übergang: 50MHz Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager19.596
2N3998 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.518
2N3999 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single NPN TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.052
2N4013 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 30V TO-18 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1.7µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V Leistung - max: - Frequenz - Übergang: 300MHz Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-18	Auf Lager13.188

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