Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 1545/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
IXTQ14N60P
IXTQ14N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 14A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.048
IXTQ150N06P

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager3.618
IXTQ150N15P

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 150A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 714W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager8.010
IXTQ152N085T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 152A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 152A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager7.614
IXTQ160N075T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 160A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4950pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager7.866
IXTQ160N085T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 160A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager3.888
IXTQ160N10T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 160A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 430W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager2.520
IXTQ16N50P
IXTQ16N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 16A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager2.286
IXTQ170N10P

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: Polar™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 715W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager5.166
IXTQ180N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 180A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager5.040
IXTQ180N085T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 430W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager2.574
IXTQ180N10T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 180A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.012
IXTQ182N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 182A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4850pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager7.182
IXTQ18N60P
IXTQ18N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.750
IXTQ200N06P

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHT™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 400A, 15V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 714W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager4.662
IXTQ200N075T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 430W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.894
IXTQ200N085T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager5.670
IXTQ200N10T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.372
IXTQ220N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 430W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.336
IXTQ220N075T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.282
IXTQ22N50P
IXTQ22N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 350W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager7.740
IXTQ22N60P
IXTQ22N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.048
IXTQ230N085T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 85V 230A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 85V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager4.968
IXTQ240N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 240A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 480W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager8.874
IXTQ250N075T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager7.920
IXTQ26N50P
IXTQ26N50P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager5.400
IXTQ26N60P
IXTQ26N60P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarHV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 460W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager7.200
IXTQ26P20P
IXTQ26P20P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: PolarP™
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2740pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager8.136
IXTQ280N055T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: TrenchMV™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 280A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9700pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 550W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager6.264
IXTQ28N15P
IXTQ28N15P

IXYS

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH TO-3P

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-3P
  • Paket / Fall: TO-3P-3, SC-65-3
Auf Lager8.154