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IXTA90N055T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 90A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2770pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.338
IXTA90N075T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 90A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3290pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.524
IXTA90N15T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 455W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.536
IXTA96P085T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 96A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 298W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager18.456
IXTA96P085T-TRL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 96A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 298W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.654
IXTA98N075T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 98A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.292
IXTA98N075T7 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 98A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-7 (IXTA..7) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager7.650
IXTB30N100L IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 20V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS264™ Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager8.604
IXTB62N50L IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550nC @ 20V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: PLUS264™ Paket / Fall: TO-264-3, TO-264AA	Auf Lager7.728
IXTC102N20T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager2.304
IXTC102N25T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager4.896
IXTC110N25T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager7.560
IXTC130N15T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager3.600
IXTC13N50 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager5.724
IXTC160N085T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager5.760
IXTC160N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 83A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager2.628
IXTC180N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager3.492
IXTC180N085T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager3.834
IXTC180N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager6.624
IXTC200N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 101A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager4.698
IXTC220N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager6.318
IXTC220N075T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 115A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 115A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager6.588
IXTC230N085T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 85V 120A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager5.598
IXTC240N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 132A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 132A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager7.848
IXTC250N075T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 128A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 128A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager8.352
IXTC26N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager2.790
IXTC280N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 145A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager5.148
IXTC36P15P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: PolarP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager8.766
IXTC62N15P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH ISOPLUS-220 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager5.976
IXTC72N30T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS220™ Paket / Fall: ISOPLUS220™	Auf Lager7.272

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