Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 1522/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
IXKR25N80C IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 Hersteller: IXYS Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 355nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™ Paket / Fall: ISOPLUS247™	Auf Lager8.460
IXKR40N60C IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 Hersteller: IXYS Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™ Paket / Fall: ISOPLUS247™	Auf Lager8.946
IXKR47N60C5 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 Hersteller: IXYS Serie: CoolMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6800pF @ 100V FET-Funktion: Super Junction Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: ISOPLUS247™ Paket / Fall: ISOPLUS247™	Auf Lager6.606
IXKT70N60C5-TRL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.628
IXKT70N60C5-TUB IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 68A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.516
IXRFSM12N100 IXYS-RF	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE Hersteller: IXYS-RF Serie: SMPD FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2875pF @ 800V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 940W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 16-SMPD Paket / Fall: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad	Auf Lager3.438
IXRFSM18N50 IXYS-RF	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE Hersteller: IXYS-RF Serie: SMPD FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.5A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 400V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 835W Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 16-SMPD Paket / Fall: 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad	Auf Lager6.120
IXT-1-1N100S1 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.776
IXT-1-1N100S1-TR IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.642
IXTA02N250 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 116pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.622
IXTA02N250HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 116pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AB Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.842
IXTA02N450HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 4500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 256pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 113W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.794
IXTA05N100 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.310
IXTA05N100HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 750mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.766
IXTA06N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: PolarVHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager21.972
IXTA08N100D2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.798
IXTA08N100D2HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 0V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263HV Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.758
IXTA08N100P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.672
IXTA08N120P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.382
IXTA08N50D2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 312pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.398
IXTA100N04T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2690pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.364
IXTA100N15X4 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 100A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3970pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AA Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.886
IXTA102N15T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 102A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5220pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 455W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.714
IXTA10N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Hersteller: IXYS Serie: Polar™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.880
IXTA10P50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: PolarP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager28.860
IXTA10P50P-TRL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: PolarP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2840pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager67.062
IXTA110N055P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2210pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.788
IXTA110N055T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.204
IXTA110N055T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3060pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXTA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.326
IXTA110N055T7 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7 Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263-7 (IXTA..7) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager3.312

«
‹
1
...
1519
1520
1521
1522 (current)
1523
1524
1525
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message