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ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V SOT223-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223 Paket / Fall: TO-261-3	Auf Lager4.878
ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager4.140
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 77µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.996
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT23-3-5 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.420
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590pC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT23-3-5 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.678
ITD50N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH TO252-5 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.698
IXCP01N90E IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 133pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220AB Paket / Fall: TO-220-3	Auf Lager6.120
IXCY01N90E IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 133pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 40W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-252 Paket / Fall: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Auf Lager5.292
IXFA102N15T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 102A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5220pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 455W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.112
IXFA10N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1610pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.576
IXFA10N60P-TRL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK Hersteller: IXYS Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager2.700
IXFA10N80P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2050pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.072
IXFA110N15T2-TRL IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.006
IXFA12N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1830pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.714
IXFA12N65X2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1134pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 180W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AA Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.536
IXFA130N10T IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK Hersteller: IXYS Serie: TrenchMV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.256
IXFA130N10T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 360W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.168
IXFA130N15X3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 390W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AA Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.046
IXFA14N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.626
IXFA14N60P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1480pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 327W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.416
IXFA14N85XHV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 850V 14A TO263 Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1043pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.920
IXFA16N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.374
IXFA16N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1515pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 330W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.246
IXFA16N60P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1830pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 347W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.406
IXFA180N10T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 480W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.564
IXFA18N60X IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 320W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AA Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.084
IXFA20N50P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 380W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (IXFA) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.624
IXFA20N85XHV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (D2Pak-HV) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.532
IXFA220N06T3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE Hersteller: IXYS Serie: HiperFET™, TrenchT3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 220A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 440W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.986
IXFA22N60P3 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263AA Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.258

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