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IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 40V 120A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4730pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 208W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-263 (D²Pak) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager16.020
IRFS750A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2780pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 49W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager5.148
IRFS7530-7PPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12960pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager6.264
IRFS7530PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13703pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.012
IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12960pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager7.830
IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13703pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager15.168
IRFS7534-7PPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9990pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager4.806
IRFS7534PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10034pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 294W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.266
IRFS7534TRL7PP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9990pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager20.916
IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 195A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10034pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 294W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager6.894
IRFS7537PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 173A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 173A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.160
IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 173A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 173A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 230W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.490
IRFS7540PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 110A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4555pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.448
IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 60V 110A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4555pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager3.114
IRFS7730-7PPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13970pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager3.580
IRFS7730PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.368
IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13970pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager6.282
IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13660pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 375W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager21.000
IRFS7734-7PPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 197A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10130pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 294W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	Auf Lager7.308
IRFS7734PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 183A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager5.454
IRFS7734TRL7PP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 197A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10130pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 294W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK (7-Lead) Paket / Fall: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	Auf Lager21.096
IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 183A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 290W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.700
IRFS7762PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.884
IRFS7762TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 51A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4440pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.164
IRFS7787PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager2.088
IRFS7787TRLPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4020pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D²PAK (TO-263AB) Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager6.408
IRFS9N60A Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager8.370
IRFS9N60APBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager12.228
IRFS9N60ATRL Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager4.176
IRFS9N60ATRLPBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 170W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: D2PAK Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Auf Lager7.452

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