Transistoren

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FDMA86551L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 6-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1235pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager54.750
FDMA8878 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Ta), 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad	Auf Lager29.010
FDMA8884 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.5A (Ta), 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad	Auf Lager4.464
FDMA905P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 6V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3405pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad	Auf Lager23.298
FDMA905P_F130 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 6V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3405pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad	Auf Lager2.268
FDMA908PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3957pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-WDFN Exposed Pad	Auf Lager85.086
FDMA910PZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 9.4A MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2805pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-MicroFET (2x2) Paket / Fall: 6-VDFN Exposed Pad	Auf Lager243.564
FDMB506P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.8A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2960pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.832
FDMB668P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2085pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.9W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.906
FDMC007N08LC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager8.874
FDMC007N08LCDC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 80V 7.0 MOHM PQFN33 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3070pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.536
FDMC008N08C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 80V 60A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2150pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 57W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.722
FDMC010N08C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PTNG 80/20V IN 3X3CLIP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power33 Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager66.126
FDMC010N08LC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 80V 10.0 MOHM PQFN33 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2135pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager3.420
FDMC012N03 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A (Ta), 185A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8183pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 64W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power33 Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager54.570
FDMC013P030Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CHANNEL 30V 54A 8MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5785pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.076
FDMC0310AS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 19A 8QFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 19A (Ta), 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3165pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager27.756
FDMC0310AS-F127 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20V 8QFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3165pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager4.698
FDMC15N06 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.4A (Ta), 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.880
FDMC2512SDC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4410pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 66W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool ™ 33 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.762
FDMC2514SDC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2705pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool ™ 33 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.088
FDMC2523P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager223.044
FDMC2610 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.668
FDMC2674 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: UniFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 220V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta), 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager2.898
FDMC2D8N025S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 124A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 124A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4615pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 47W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power33 Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager5.490
FDMC3020DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 17A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.25mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1385pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool ™ 33 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.132
FDMC3612 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 8-MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.3A (Ta), 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager145.242
FDMC4435BZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2045pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager7.056
FDMC4435BZ-F126 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 8.5A Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.5A (Ta), 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2045pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.3W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-MLP (3.3x3.3) Paket / Fall: 8-PowerWDFN	Auf Lager6.336
FDMC4436BZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.132

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