Transistoren

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BSS192PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 190mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 104pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager6.372
BSS205NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager94.656
BSS205NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 419pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.240
BSS209PW Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 580mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager6.930
BSS209PWH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.63A SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 630mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 630mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager660.582
BSS209PW L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 580mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 580mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.38nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 89.9pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager8.748
BSS214NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager710.976
BSS214NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.642
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager25.356
BSS214NW L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager3.618
BSS215PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager261.420
BSS215PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 346pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.986
BSS223PWH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 390mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager4.860
BSS223PW L6327 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 390mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager3.600
BSS225 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 131pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager3.852
BSS225H6327FTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 131pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager34.026
BSS225H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 131pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager2.106
BSS225L6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: SIPMOS® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 94µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 131pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager6.120
BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager230.586
BSS306NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager8.262
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager726.582
BSS308PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager5.580
BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 294pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager66.708
BSS314PEL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 294pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.454
BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager46.572
BSS315PL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.762
BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager326.490
BSS316NL6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 94pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager7.038
BSS340NWH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single SMALL SIGNAL+P-CH Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager4.338
BSS606NH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 657pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SOT89 Paket / Fall: TO-243AA	Auf Lager23.028

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