Transistoren

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BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.508
BSC0902NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager91.182
BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 23A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.394
BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.364
BSC0906NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 18A (Ta), 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager51.378
BSC0908NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 34V 49A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 34V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1220pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.436
BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 34V 44A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 34V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1110pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 27W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.466
BSC090N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.480
BSC090N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.334
BSC093N04LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 35W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager266.496
BSC093N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 87A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 87A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3230pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 139W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-7 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.086
BSC094N03S G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.6A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.498
BSC094N06LS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 36W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.650
BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-6 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager74.946
BSC097N06NSTATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single DIFFERENTIATED MOSFETS Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1075pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager45.786
BSC098N10NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-7 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.670
BSC0996NSATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CHANNEL 34V 13A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 34V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.406
BSC100N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.730
BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager38.316
BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3500pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager1.001.766
BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.534
BSC105N10LSFGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.4A (Ta), 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.416
BSC106N025S G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.510
BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.490
BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.880
BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 76A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 76A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2770pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-7 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.238
BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 40V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-7 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager83.616
BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11A (Ta), 71A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3700pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 114W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.682
BSC119N03S G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.9A (Ta), 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 43W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-1 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.330
BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TDSON-8-5 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager47.844

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