Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BS170G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager6.318
BS170_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager6.030
BS170_L34Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 830mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager2.142
BS170P Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager55.230
BS170PSTOA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager5.706
BS170PSTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager3.042
BS170RL1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager3.598
BS170RLRA ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager2.520
BS170RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager3.312
BS170RLRMG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager4.356
BS170RLRP ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager4.716
BS170RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager5.526
BS170ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 350mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager4.500
BS250FTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 330mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager152.532
BS250FTC Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 0.09A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 330mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager6.426
BS250KL-TR1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 270mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 15V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-18RM Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager6.714
BS250P Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager161.322
BS250PSTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager2.160
BS250PSTZ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 230mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager4.464
BS270 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager84.756
BS270-D74Z ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 400mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 625mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Auf Lager20.652
BS7067N06LS3G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4800pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-TSDSON-8 Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.626
BS870-7 Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager3.888
BS870-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager268.806
BS870Q-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 41V 60V SOT23 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300mW Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-23 Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Auf Lager4.158
BSA223SP Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 390MA SC75 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 390mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PG-SC-75 Paket / Fall: SC-75, SOT-416	Auf Lager7.686
BSB008NE2LXXUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 46A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 343nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16000pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Paket / Fall: 3-WDSON	Auf Lager8.118
BSB012N03LX3 G Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 39A (Ta), 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16900pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Paket / Fall: 3-WDSON	Auf Lager4.662
BSB012NE2LX Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Ta), 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4900pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Paket / Fall: 3-WDSON	Auf Lager6.318
BSB012NE2LXIXUMA1 Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 170A WDSON Hersteller: Infineon Technologies Serie: OptiMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 170A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5852pF @ 12V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Betriebstemperatur: -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: MG-WDSON-2, CanPAK M™ Paket / Fall: 3-WDSON	Auf Lager8.496

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