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Speicher-ICs

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Beschreibung
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IS61WV51216EEBLL-10B2LI
IS61WV51216EEBLL-10B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (6x8)
Auf Lager5.796
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (6x8)
Auf Lager2.178
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IS61WV51216EEBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (6x8)
Auf Lager3.544
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Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (6x8)
Auf Lager2.016
IS61WV51216EEBLL-10T2LI
IS61WV51216EEBLL-10T2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I
Auf Lager3.544
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP I

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I
Auf Lager5.058
IS61WV51216EEBLL-10TLI
IS61WV51216EEBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 8Mb (512K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.776
IS61WV51232BLL-10BLI
IS61WV51232BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 16Mb (512K x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager8.046
IS61WV51232BLL-10BLI-TR
IS61WV51232BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 16Mb (512K x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager7.812
IS61WV5128BLL-10BI
IS61WV5128BLL-10BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 36-TFBGA (6x8)
Auf Lager5.022
IS61WV5128BLL-10BI-TR
IS61WV5128BLL-10BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 36-TFBGA (6x8)
Auf Lager2.178
IS61WV5128BLL-10BLI
IS61WV5128BLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 36-TFBGA (6x8)
Auf Lager1.059
IS61WV5128BLL-10BLI-TR
IS61WV5128BLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 36-TFBGA (6x8)
Auf Lager2.376
IS61WV5128BLL-10KLI
IS61WV5128BLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 36-SOJ
Auf Lager4.568
IS61WV5128BLL-10KLI-TR
IS61WV5128BLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 36-SOJ
Auf Lager8.118
IS61WV5128BLL-10TLI
IS61WV5128BLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager11.194
IS61WV5128BLL-10TLI-TR
IS61WV5128BLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager5.472
IS61WV5128BLS-25TLI
IS61WV5128BLS-25TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
  • Zugriffszeit: 25ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager2.628
IS61WV5128BLS-25TLI-TR
IS61WV5128BLS-25TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns
  • Zugriffszeit: 25ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.128
IS61WV5128EDBLL-10BLI
IS61WV5128EDBLL-10BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 36-TFBGA (6x8)
Auf Lager10.008
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 36-TFBGA (6x8)
Auf Lager6.372
IS61WV5128EDBLL-10KLI
IS61WV5128EDBLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 36-SOJ
Auf Lager4.770
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 36-SOJ
Auf Lager3.780
IS61WV5128EDBLL-10TLI
IS61WV5128EDBLL-10TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager19.020
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns
  • Zugriffszeit: 10ns
  • Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager7.614
IS61WV6416BLL-12BLI
IS61WV6416BLL-12BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)
Auf Lager8.010
IS61WV6416BLL-12BLI-TR
IS61WV6416BLL-12BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 48-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 48-miniBGA (6x8)
Auf Lager8.784
IS61WV6416BLL-12KLI
IS61WV6416BLL-12KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-SOJ
Auf Lager2.484
IS61WV6416BLL-12KLI-TR
IS61WV6416BLL-12KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-SOJ
Auf Lager3.528
IS61WV6416BLL-12TLI
IS61WV6416BLL-12TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: SRAM
  • Technologie: SRAM - Asynchronous
  • Speichergröße: 1Mb (64K x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: -
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns
  • Zugriffszeit: 12ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II
Auf Lager16.386