Speicher-ICs

IS61NLF102418B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF102418B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (1M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF102436A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF102436B-6.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF102436B-6.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 36M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 36Mb (1M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF12836A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF12836A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF12836A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF12836A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF12836EC-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF12836EC-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25618A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25618A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25618EC-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25618EC-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100LQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 4.5Mb (256K x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636A-7.5B2I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BBGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636A-7.5B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 119-BBGA
• Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636A-7.5TQI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636A-7.5TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636A-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636B-7.5TQLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 117MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-LQFP (14x20)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25672-6.5B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25672-6.5B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25672-6.5B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25672-6.5B1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25672-7.5B1I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren

IS61NLF25672-7.5B1I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 18Mb (256K x 72)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 209-BGA
• Lieferantengerätepaket: 209-LFBGA (14x22)

In den WarenkorbIn den Warenkorb aktualisieren