Speicher-ICs

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AK93C65CM AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 4K SPI 4MHZ Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 4MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.158
AK93C65CT AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 8TMSOP Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 4MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TMSOP	Auf Lager3.456
AK93C65CU AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 4K SPI 4MHZ 8USON Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 4MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 8-USON	Auf Lager3.366
AK93C65CUA AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 4K SPI 4MHZ Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 4Kb (256 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 4MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.992
AK93C75AV AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 8K SPI 8TSSOP Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 8Kb (512 x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager7.668
AK93C85AM AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 16K SPI 8SSOP Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 16Kb (1K x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 8-SSOP	Auf Lager6.498
AK93C95AF AKM Semiconductor Inc.	Speicher IC EEPROM 32K SPI 8SOP Hersteller: AKM Semiconductor Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: EEPROM Technologie: EEPROM Speichergröße: 32Kb (2K x 16) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: 8-SOP	Auf Lager8.496
AM29F002BT-55JF Cypress Semiconductor	Speicher IC FLASH 2M PARALLEL 32PLCC Hersteller: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH Speichergröße: 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket: 32-PLCC (11.43x13.97)	Auf Lager8.226
AM29F040B-70JF Cypress Semiconductor	Speicher IC FLASH 4M PARALLEL 32PLCC Hersteller: Cypress Semiconductor Corp Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH Technologie: FLASH Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket: 32-PLCC (11.43x13.97)	Auf Lager21.823
AS1C1M16P-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 16M PSRAM 48 BGA 3V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.6V ~ 3.3V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x7)	Auf Lager8.784
AS1C1M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 16M PSRAM 48 BGA 1.8V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x7)	Auf Lager10.200
AS1C2M16P-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 32M PSRAM 48 BGA 3V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.6V ~ 3.3V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x7)	Auf Lager8.232
AS1C4M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 64M PSRAM 49 BGA 1.8V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 49-WFBGA Lieferantengerätepaket: 49-FBGA (4x4)	Auf Lager8.712
AS1C512K16P-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 8M PSRAM 48 BGA 3V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.6V ~ 3.3V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x7)	Auf Lager6.636
AS1C512K16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 8M PSRAM 48 BGA 1.8V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-VFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (6x7)	Auf Lager9.060
AS1C8M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher 128M PSRAM 49 BGA 1.8V Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: PSRAM Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 49-VFBGA Lieferantengerätepaket: 49-FBGA (4x4)	Auf Lager7.704
AS4C128M16D2-25BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager6.132
AS4C128M16D2-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager2.232
AS4C128M16D2-25BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager6.624
AS4C128M16D2-25BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager8.082
AS4C128M16D2A-25BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager8.946
AS4C128M16D2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager8.064
AS4C128M16D2A-25BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (10.5x13.5)	Auf Lager8.064
AS4C128M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-TFBGA (8x12.5)	Auf Lager5.472
AS4C128M16D3-12BAN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager8.172
AS4C128M16D3-12BANTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager4.032
AS4C128M16D3-12BCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager5.544
AS4C128M16D3-12BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager7.002
AS4C128M16D3-12BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager3.708
AS4C128M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-FBGA (9x13)	Auf Lager5.310

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