Speicher-ICs

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71V65803S133BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.336
71V65803S133BQI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.948
71V65803S133BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager3.330
71V65803S133PFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.114
71V65803S133PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.706
71V65803S133PFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.024
71V65803S133PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.266
71V65803S150BG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager8.478
71V65803S150BG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager4.320
71V65803S150BGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager2.088
71V65803S150BGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.650
71V65803S150BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager7.200
71V65803S150BQG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.498
71V65803S150BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager3.672
71V65803S150BQI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager5.274
71V65803S150BQI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager4.806
71V65803S150PFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.902
71V65803S150PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.780
71V65803S150PFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.420
71V65803S150PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.580
71V65903S80BG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.300
71V65903S80BG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager8.946
71V65903S80BGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.426
71V65903S80BGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager4.734
71V65903S80BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager4.842
71V65903S80BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager3.150
71V65903S80BQG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.678
71V65903S80BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager7.740
71V65903S80PFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.120
71V65903S80PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager711

71V65803S133BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.336

71V65803S133BQI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.948

71V65803S133BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager3.330

71V65803S133PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.114

71V65803S133PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager5.706

71V65803S133PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.024

71V65803S133PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.266

71V65803S150BG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager8.478

71V65803S150BG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager4.320

71V65803S150BGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager2.088

71V65803S150BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.650

71V65803S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager7.200

71V65803S150BQG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.498

71V65803S150BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager3.672

71V65803S150BQI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager5.274

71V65803S150BQI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager4.806

71V65803S150PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.902

71V65803S150PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.780

71V65803S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.420

71V65803S150PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.580

71V65903S80BG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.300

71V65903S80BG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager8.946

71V65903S80BGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.426

71V65903S80BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager4.734

71V65903S80BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager4.842

71V65903S80BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager3.150

71V65903S80BQG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.678

71V65903S80BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager7.740

71V65903S80PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager6.120

71V65903S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager711

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