Speicher-ICs

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70V3389S5PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager3.420
70V3389S5PRF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager3.294
70V3389S5PRFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.628
70V3389S5PRFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager6.930
70V3389S5PRF/P IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager4.428
70V3389S6BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.300
70V3389S6BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager2.394
70V3389S6BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.532
70V3389S6BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager7.470
70V3389S6PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.520
70V3389S6PRF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.250
70V3389S6PRFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager5.382
70V3389S6PRFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.286
70V3399S133BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.290
70V3399S133BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager6.102
70V3399S133BCI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager5.562
70V3399S133BCI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager8.658
70V3399S133BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.086
70V3399S133BF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager8.064
70V3399S133BFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.922
70V3399S133BFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.088
70V3399S133BFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager2.502
70V3399S133BFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager5.922
70V3399S133PRF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager5.760
70V3399S133PRF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager2.934
70V3399S133PRFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager6.066
70V3399S133PRFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 128-LQFP Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)	Auf Lager6.246
70V3399S166BC IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager7.524
70V3399S166BC8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 256-LBGA Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)	Auf Lager2.034
70V3399S166BF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße: 2Mb (128K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.6ns Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 208-LFBGA Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)	Auf Lager4.248

70V3389S5PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager3.420

70V3389S5PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager3.294

70V3389S5PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.628

70V3389S5PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager6.930

70V3389S5PRF/P

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager4.428

70V3389S6BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.300

70V3389S6BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager2.394

70V3389S6BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.532

70V3389S6BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager7.470

70V3389S6PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.520

70V3389S6PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.250

70V3389S6PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager5.382

70V3389S6PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 1.125M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 1.125Mb (64K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.286

70V3399S133BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.290

70V3399S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager6.102

70V3399S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager5.562

70V3399S133BCI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager8.658

70V3399S133BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.086

70V3399S133BF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager8.064

70V3399S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.922

70V3399S133BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.088

70V3399S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager2.502

70V3399S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager5.922

70V3399S133PRF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager5.760

70V3399S133PRF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager2.934

70V3399S133PRFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager6.066

70V3399S133PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 128TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 128-LQFP
Lieferantengerätepaket: 128-TQFP (14x20)

Auf Lager6.246

70V3399S166BC

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager7.524

70V3399S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 256-LBGA
Lieferantengerätepaket: 256-CABGA (17x17)

Auf Lager2.034

70V3399S166BF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße: 2Mb (128K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.6ns
Spannung - Versorgung: 3.15V ~ 3.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 208-CABGA (15x15)

Auf Lager4.248

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