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W9812G6JB-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager8.406
W9812G6JB-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager3.978
W9812G6JB-6I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager7.380
W9812G6JB-6 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager8.262
W9812G6JH-5 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.230
W9812G6JH-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.708
W9812G6KH-5 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.046
W9812G6KH-5 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.988
W9812G6KH-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager84.636
W9812G6KH-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.279
W9812G6KH-6I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.264
W9812G6KH-6 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager4.050
W9816G6IB-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (6.4x10.10)	Auf Lager8.604
W9816G6IH-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager14.981
W9816G6IH-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager3.258
W9816G6JB-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (6.4x10.10)	Auf Lager6.840
W9816G6JB-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (6.4x10.10)	Auf Lager8.028
W9816G6JB-6I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (6.4x10.10)	Auf Lager4.446
W9816G6JB-6 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-VFBGA (6.4x10.10)	Auf Lager8.010
W9816G6JH-5 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager3.762
W9816G6JH-5 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager3.888
W9816G6JH-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager8.244
W9816G6JH-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager5.472
W9816G6JH-6I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager5.868
W9816G6JH-6 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 50-TSOP II	Auf Lager8.208
W9825G2JB-6 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager6.372
W9825G2JB-6I Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager5.958
W9825G2JB-6I TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager4.248
W9825G2JB-6 TR Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager2.988
W9825G2JB-75 Winbond Electronics	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA Hersteller: Winbond Electronics Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-TFBGA Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)	Auf Lager8.874

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