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MT53D4DGSB-DC TR Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.412
MT53D4DHSB-DC Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.160
MT53D4DHSB-DC TR Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.948
MT53D4G16D8AL-062 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 SMD Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.114
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 SMD Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.122
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.328
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.910
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.748
MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.142
MT53D512M16D1DS-046 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.616
MT53D512M16D1DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.582
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 8G DIE 512MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.484
MT53D512M16D1Z11MWC2 ES Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 8G DIE 512MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.768
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager426
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.076
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.641
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager6.030
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.543
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.310
MT53D512M32D2DS-046 IT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.721
MT53D512M32D2DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.824
MT53D512M32D2DS-046 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.896
MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.796
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager7.362
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager396
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager2.538
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager5.147
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 1866MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1866MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.384
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager143
MT53D512M32D2DS-053 AUT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (512M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.658

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