ZXTP2012GTA
Nur als Referenz
Teilenummer | ZXTP2012GTA |
PNEDA Teilenummer | ZXTP2012GTA |
Beschreibung | TRANS PNP 60V 5.5A SOT223 |
Hersteller | Diodes Incorporated |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 216.672 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
ZXTP2012GTA Ressourcen
Marke | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | ZXTP2012GTA |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- ZXTP2012GTA Datasheet
- where to find ZXTP2012GTA
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated ZXTP2012GTA
- ZXTP2012GTA PDF Datasheet
- ZXTP2012GTA Stock
- ZXTP2012GTA Pinout
- Datasheet ZXTP2012GTA
- ZXTP2012GTA Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- ZXTP2012GTA Price
- ZXTP2012GTA Distributor
ZXTP2012GTA Technische Daten
Hersteller | Diodes Incorporated |
Serie | - |
Transistortyp | PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5.5A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500mA, 5A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
Leistung - max | 3W |
Frequenz - Übergang | 120MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Nexperia Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 60mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 200mA, 10V Leistung - max 325mW Frequenz - Übergang 75MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN1010D-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 285V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 62.5mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 1mA, 5V Leistung - max 1.1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket PW-MOLD2 |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 1A, 2V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2A, 8A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 8 @ 2A, 5V Leistung - max 80W Frequenz - Übergang 4MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |