ZXTN619MATA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXTN619MATA |
| PNEDA Teilenummer | ZXTN619MATA |
| Beschreibung | TRANS NPN 50V 4A 3-DFN |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 283.686 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXTN619MATA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTN619MATA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZXTN619MATA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 25nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
| Leistung - max | 3W |
| Frequenz - Übergang | 165MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-UDFN |
| Lieferantengerätepaket | DFN2020B-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 1V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
