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ZXTAM322TA

ZXTAM322TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXTAM322TA
PNEDA Teilenummer ZXTAM322TA
Beschreibung TRANS NPN 15V 4.5A 2X2MM 3-MLP
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 2.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXTAM322TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXTAM322TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ZXTAM322TA, ZXTAM322TA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 385,9 KB)
PDFZXTAM322TA Datenblatt Cover
ZXTAM322TA Datenblatt Seite 2 ZXTAM322TA Datenblatt Seite 3 ZXTAM322TA Datenblatt Seite 4 ZXTAM322TA Datenblatt Seite 5 ZXTAM322TA Datenblatt Seite 6

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ZXTAM322TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic280mV @ 50mA, 4.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 3A, 2V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang120MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-PowerSMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-MLP/DFN (2x2)

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 5V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

185V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 3mA, 30mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 10mA, 5V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G1

BC848BWT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

50C02MH-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

500MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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