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ZXT1M322TA

ZXT1M322TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXT1M322TA
PNEDA Teilenummer ZXT1M322TA
Beschreibung TRANS PNP 12V 4A 2X2MM 3-MLP
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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ZXT1M322TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXT1M322TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ZXT1M322TA, ZXT1M322TA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 194,03 KB)
PDFZXT1M322TA Datenblatt Cover
ZXT1M322TA Datenblatt Seite 2 ZXT1M322TA Datenblatt Seite 3 ZXT1M322TA Datenblatt Seite 4 ZXT1M322TA Datenblatt Seite 5 ZXT1M322TA Datenblatt Seite 6

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ZXT1M322TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 150mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)25nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 2.5A, 2V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang110MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-PowerSMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-MLP/DFN (2x2)

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Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

170 @ 100mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-SIP

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

120V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 5V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-220-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

230V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PL

Lieferantengerätepaket

TO-3P(L)

30C02MH-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

190mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 50mA, 2V

Leistung - max

600mW

Frequenz - Übergang

540MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

3-MCPH

FZT649TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

240MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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