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ZXMP3F30FHTA

ZXMP3F30FHTA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMP3F30FHTA
PNEDA Teilenummer ZXMP3F30FHTA
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 3.132
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Voraussichtliche Lieferung Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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ZXMP3F30FHTA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMP3F30FHTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ZXMP3F30FHTA, ZXMP3F30FHTA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 433,99 KB)
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ZXMP3F30FHTA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds370pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)950mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-23
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

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Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3450pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-DFN (3x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN

IRF9620SPBF

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

575pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

82W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

117mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

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-

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