ZXMN6A11ZTA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXMN6A11ZTA |
| PNEDA Teilenummer | ZXMN6A11ZTA |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 270.330 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMN6A11ZTA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMN6A11ZTA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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ZXMN6A11ZTA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89-3 |
| Paket / Fall | TO-243AA |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 627pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 350mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-323 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 550V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 200µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.7nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 433pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 57W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 220mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 220mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 27pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 360mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket I2PAK (TO-262) Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 500µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 35W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220SIS Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
