Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ZXMN2A02X8TA

ZXMN2A02X8TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMN2A02X8TA
PNEDA Teilenummer ZXMN2A02X8TA
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.080
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMN2A02X8TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMN2A02X8TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ZXMN2A02X8TA, ZXMN2A02X8TA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.178,86 KB)
PDFZXMN2A02X8TC Datenblatt Cover
ZXMN2A02X8TC Datenblatt Seite 2 ZXMN2A02X8TC Datenblatt Seite 3 ZXMN2A02X8TC Datenblatt Seite 4 ZXMN2A02X8TC Datenblatt Seite 5 ZXMN2A02X8TC Datenblatt Seite 6 ZXMN2A02X8TC Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ZXMN2A02X8TA Datasheet
  • where to find ZXMN2A02X8TA
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZXMN2A02X8TA
  • ZXMN2A02X8TA PDF Datasheet
  • ZXMN2A02X8TA Stock

  • ZXMN2A02X8TA Pinout
  • Datasheet ZXMN2A02X8TA
  • ZXMN2A02X8TA Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZXMN2A02X8TA Price
  • ZXMN2A02X8TA Distributor

ZXMN2A02X8TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-MSOP
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXFL55N50

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS264™

Paket / Fall

ISOPLUS264™

2N7002ET3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

260mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5Ohm @ 240mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.81nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26.7pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300mW (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

2N7002E

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

350mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTB75N03L09T4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5635pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

Polar™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

63W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

Kürzlich verkauft

AT89S52-24PU

AT89S52-24PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 40DIP

SP3232ECN-L

SP3232ECN-L

MaxLinear, Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

MAX13035EETE+

MAX13035EETE+

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 16TQFN

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

MBR0540-TP

MBR0540-TP

Micro Commercial Co

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

T491B106K025AT

T491B106K025AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 25V 1411

AD8051ARTZ-R2

AD8051ARTZ-R2

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

SMBJ12CA

SMBJ12CA

TVS DIODE 12V 19.9V SMB

PA0277NLT

PA0277NLT

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

LTM4615IV#PBF

LTM4615IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CNVRTR 2X0.8-5V 0.4-2.6V