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ZXMHC10A07N8TC

ZXMHC10A07N8TC

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMHC10A07N8TC
PNEDA Teilenummer ZXMHC10A07N8TC
Beschreibung MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 8.478
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMHC10A07N8TC Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMHC10A07N8TC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMHC10A07N8TC, ZXMHC10A07N8TC Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 721,89 KB)
PDFZXMHC10A07N8TC Datenblatt Cover
ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 2 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 3 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 4 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 5 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 6 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 7 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 8 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 9 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 10 ZXMHC10A07N8TC Datenblatt Seite 11

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ZXMHC10A07N8TC Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.800mA, 680mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds138pF @ 60V
Leistung - max870mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

87pF @ 20V

Leistung - max

320mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

TSM4953DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

745pF @ 15V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

BUK7K17-60EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1578pF @ 25V

Leistung - max

53W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

DMNH4026SSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 20V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AON6946

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A, 18A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.6mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

485pF @ 15V

Leistung - max

3.5W, 3.9W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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