ZX3CD1S1M832TA
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| Teilenummer | ZX3CD1S1M832TA |
| PNEDA Teilenummer | ZX3CD1S1M832TA |
| Beschreibung | TRANS PNP 12V 4A 3X2MM 8MLP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.614 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZX3CD1S1M832TA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZX3CD1S1M832TA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZX3CD1S1M832TA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP + Diode (Isolated) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 150mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 25nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 2.5A, 2V |
| Leistung - max | 3W |
| Frequenz - Übergang | 110MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-VDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 8-MLP (2x3) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/512 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V Leistung - max 800mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
