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ZVP2120GTC

ZVP2120GTC

Nur als Referenz

Teilenummer ZVP2120GTC
PNEDA Teilenummer ZVP2120GTC
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT223
Hersteller Diodes Incorporated
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ZVP2120GTC Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZVP2120GTC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ZVP2120GTC, ZVP2120GTC Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 374,04 KB)
PDFZVP2120GTC Datenblatt Cover
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ZVP2120GTC Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs25Ohm @ 150mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA

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DMTH4008LPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14.4A (Ta), 64.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1088pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.99W (Ta), 55.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SIHA24N65EF-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

156mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2774pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

39W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SI1021R-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

190mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

250mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-75A

Paket / Fall

SC-75A

HUFA75343G3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

205nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

270W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Paket / Fall

TO-247-3

IRF630NSTRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

575pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

82W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

MMBD7000LT1G

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ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

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TVS DIODE 5.5V 6UDFN

TAJA225K025RNJ

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CAP TANT 2.2UF 10% 25V 1206

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TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

PIC18F25K22-I/SO

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28SOIC

CY90F543GPF-GE1

CY90F543GPF-GE1

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 128KB FLASH 100QFP

CM453232-3R3KL

CM453232-3R3KL

Bourns

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

ICM7555ISA

ICM7555ISA

Maxim Integrated

IC OSC SGL TIMER 500KHZ 8-SOIC

STW20NK50Z

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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 500V 17A TO-247

ESD9X5.0ST5G

ESD9X5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 12.3V SOD923

NFM41CC223R2A3L

NFM41CC223R2A3L

Murata

CAP FEEDTHRU 0.022UF 100V 1806