Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ZVP1320A

ZVP1320A

Nur als Referenz

Teilenummer ZVP1320A
PNEDA Teilenummer ZVP1320A
Beschreibung MOSFET P-CH 200V 0.07A TO92-3
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZVP1320A Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZVP1320A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
ZVP1320A, ZVP1320A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 79,26 KB)
PDFZVP1320ASTZ Datenblatt Cover
ZVP1320ASTZ Datenblatt Seite 2 ZVP1320ASTZ Datenblatt Seite 3

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ZVP1320A Datasheet
  • where to find ZVP1320A
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZVP1320A
  • ZVP1320A PDF Datasheet
  • ZVP1320A Stock

  • ZVP1320A Pinout
  • Datasheet ZVP1320A
  • ZVP1320A Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZVP1320A Price
  • ZVP1320A Distributor

ZVP1320A Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)625mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92-3
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NTLJS3A18PZTXG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2240pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-WDFN (2x2)

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

IPB60R250CPATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

104W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZXMN3B14FTA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

568pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

STL6N2VH5

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

STripFET™ V

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerFlat™ (2x2)

Paket / Fall

6-PowerWDFN

IRFSL4310PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7670pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

WSL2010R0160FEA

WSL2010R0160FEA

Vishay Dale

WSL-2010 .016 1% EA E3

ADCMP356YKSZ-REEL7

ADCMP356YKSZ-REEL7

Analog Devices

IC COMP/REF PP ACTIVE HI SC70-4

LT8640EUDC#TRPBF

LT8640EUDC#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJUSTABLE 5A 20QFN

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

CY7C68013A-128AXC

CY7C68013A-128AXC

Cypress Semiconductor

IC MCU USB PERIPH HI SPD 128LQFP

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

NLC453232T-150K-PF

NLC453232T-150K-PF

TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

MAX690AESA+T

MAX690AESA+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 8-SOIC

XC6VLX130T-2FFG1156I

XC6VLX130T-2FFG1156I

Xilinx

IC FPGA 600 I/O 1156FCBGA

LNJ208R8ARA

LNJ208R8ARA

Panasonic Electronic Components

LED RED SS TYPE LED SMD