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ZTX789A

ZTX789A

Nur als Referenz

Teilenummer ZTX789A
PNEDA Teilenummer ZTX789A
Beschreibung TRANS PNP 25V 3A E-LINE
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZTX789A Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZTX789A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ZTX789A, ZTX789A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 65,53 KB)
PDFZTX789ASTOB Datenblatt Cover
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ZTX789A Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 100mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce300 @ 10mA, 2V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallE-Line-3
LieferantengerätepaketE-Line (TO-92 compatible)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

BCW66FVL

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

450mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

2SB1588

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 7mA, 7A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 7A, 4V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

KSD1616AYBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 100mA, 2V

Leistung - max

750mW

Frequenz - Übergang

160MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2STA1962

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

230V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Leistung - max

150W

Frequenz - Übergang

30MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

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