ZTX696BSTOA
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZTX696BSTOA |
| PNEDA Teilenummer | ZTX696BSTOA |
| Beschreibung | TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.712 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 4 - Apr 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZTX696BSTOA Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZTX696BSTOA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZTX696BSTOA Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 180V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 200mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 150 @ 200mA, 5V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 70MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | E-Line-3, Formed Leads |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V Leistung - max 1.75W Frequenz - Übergang 2MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket I-PAK |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 290mV @ 300mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 210 @ 2A, 2V Leistung - max 2.1W Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-PowerUDFN Lieferantengerätepaket 3-HUSON (2x2) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 2V Leistung - max 900mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body Lieferantengerätepaket TO-92MOD |
