ZTX458
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| Teilenummer | ZTX458 |
| PNEDA Teilenummer | ZTX458 |
| Beschreibung | TRANS NPN 400V 0.3A E-LINE |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 55.734 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 25 - Mär 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZTX458 Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZTX458 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZTX458 Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 300mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 400V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 6mA, 50mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 50MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | E-Line-3 |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 750mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 530mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA, 5V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V Leistung - max 30W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/510 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 350V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 1.67A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 10A, 3V Leistung - max 6W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Lieferantengerätepaket TO-254AA |
