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ZTX450STOB

ZTX450STOB

Nur als Referenz

Teilenummer ZTX450STOB
PNEDA Teilenummer ZTX450STOB
Beschreibung TRANS NPN 45V 1A E-LINE
Hersteller Diodes Incorporated
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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ZTX450STOB Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZTX450STOB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
ZTX450STOB, ZTX450STOB Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 55,15 KB)
PDFZTX451STOB Datenblatt Cover
ZTX451STOB Datenblatt Seite 2

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ZTX450STOB Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallE-Line-3, Formed Leads
LieferantengerätepaketE-Line (TO-92 compatible)

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2N2484

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 2mA, 5V

Leistung - max

360mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-18-2 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-18

BC856A,215

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

2DA1774QLP-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-UFDFN

Lieferantengerätepaket

3-DFN1006 (1.0x0.6)

BC337A_J35Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SC4793,HFEF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

230V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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