ZTX1151A
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZTX1151A |
| PNEDA Teilenummer | ZTX1151A |
| Beschreibung | TRANS PNP 40V 3A E-LINE |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.506 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 8 - Jan 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZTX1151A Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZTX1151A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZTX1151A Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 250mA, 3A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 250 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 145MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | E-Line-3 |
| Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Avalanche Mode Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 10mA, 10V Leistung - max 330mW Frequenz - Übergang 40MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 400mA, 10V Leistung - max 25W Frequenz - Übergang 5MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 15nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA, 5V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 6mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 10V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) |
